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A5G35H055NT4 NXP USA Inc.

A5G35H055N.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details A5G35H055NT4 NXP USA Inc.

GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
A5G35H055NT4 A5G35H055NT4 NXP Semiconductors A5G35H055N-2940944.pdf GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
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