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A5G35H110NT4 NXP USA Inc.

A5G35H110N.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
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Technische Details A5G35H110NT4 NXP USA Inc.

GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V.

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A5G35H110NT4 A5G35H110NT4 Hersteller : NXP Semiconductors A5G35H110N-2940472.pdf GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V
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