Technische Details A5G35S008NT6 NXP USA Inc.
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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A5G35S008NT6 | NXP Semiconductors |
 GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A5G35S008NT6 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
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