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A5G35S008NT6 NXP USA Inc.


A5G35S008N.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details A5G35S008NT6 NXP USA Inc.

GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V.

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A5G35S008NT6 A5G35S008NT6 Hersteller : NXP Semiconductors A5G35S008N-2940488.pdf GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
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