A5G37H110NT4 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.6GHz ~ 3.8GHz
Power - Output: 13.5W
Gain: 15.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 70 mA
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Technische Details A5G37H110NT4 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.6GHz ~ 3.8GHz, Power - Output: 13.5W, Gain: 15.1dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 70 mA.
Weitere Produktangebote A5G37H110NT4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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A5G37H110NT4 | Hersteller : NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3600-3800 MHz, 13.5 W Avg., 48 V |
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