AFG24S100HR5 NXP Semiconductors
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Technische Details AFG24S100HR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS NI360, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-360H-2SB, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1MHz ~ 2.5GHz, Power - Output: 100W, Gain: 16.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-360H-2SB, Voltage - Rated: 50 V.
Weitere Produktangebote AFG24S100HR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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AFG24S100HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS NI360Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-360H-2SB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1MHz ~ 2.5GHz Power - Output: 100W Gain: 16.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-360H-2SB Voltage - Rated: 50 V |
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| AFG24S100HR5 | Hersteller : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power GaN on SiC Transistor, 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V |
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