AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 31W
Gain: 17.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 10 mA
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Power dissipation: 294W, Case: TO270G-2, Kind of package: reel; tape, Frequency: 520MHz, Kind of channel: enhanced, Output power: 33W, Electrical mounting: SMT, Open-loop gain: 17.7dB, Efficiency: 71.4%, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote AFT05MS031GNR1 nach Preis ab 14.06 EUR bis 35.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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AFT05MS031GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
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AFT05MS031GNR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 31W Gain: 17.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 10 mA |
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AFT05MS031GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V |
auf Bestellung 1727 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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AFT05MS031GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFT05MS031GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| AFT05MS031GNR1 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 294W Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 33W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.7dB Efficiency: 71.4% Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| AFT05MS031GNR1 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 294W Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 33W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.7dB Efficiency: 71.4% |
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