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AFT09H310-04GSR6

AFT09H310-04GSR6 NXP Semiconductors

18978612234470aft09h310-03s.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-1230S T/R
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Technische Details AFT09H310-04GSR6 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET 28V NI1230, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Gain: 17.9dB, Power - Output: 56W, Configuration: N-Channel, Frequency: 920MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-1230S-4 GW, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 680 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 70 V, Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
AFT09H310-04GSR6 NXP USA Inc. Description: RF MOSFET 28V NI1230
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 17.9dB
Power - Output: 56W
Configuration: N-Channel
Frequency: 920MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230S-4 GW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 680 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 70 V
Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL
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AFT09H310-04GSR6 NXP / Freescale AFT09H310-03S-1125864.pdf RF MOSFET Transistors 900MHZ 310W NI1230-4GS
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AFT09H310-04GSR6
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 28V NI1230
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 17.9dB
Power - Output: 56W
Configuration: N-Channel
Frequency: 920MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230S-4 GW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 680 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 70 V
Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL
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AFT09H310-04GSR6 AFT09H310-03S-1125864.pdf
Hersteller: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors 900MHZ 310W NI1230-4GS
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