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AFT18H357-24NR6 NXP USA Inc.


RF_%20Gde.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 800 mA
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Technische Details AFT18H357-24NR6 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-1230-4L2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.81GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 63W, Gain: 17.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230-4L2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 800 mA.

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AFT18H357-24NR6 Hersteller : NXP / Freescale AFT18H357-24N-1125795.pdf RF MOSFET Transistors 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
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