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AFT18P350-4S2LR6

AFT18P350-4S2LR6 NXP USA Inc.


Hersteller: NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 16.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
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Technische Details AFT18P350-4S2LR6 NXP USA Inc.

Description: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.81GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 63W, Gain: 16.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1 A.

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AFT18P350-4S2LR6 Hersteller : NXP Semiconductors 338aft18p350-4s2l.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin NI-1230 T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 16.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
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