AFT26H200W03SR6 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Technology: LDMOS
Gain: 14.1dB
Power - Output: 45W
Frequency: 2.5GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230-4S
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details AFT26H200W03SR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Current - Test: 500 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-1230-4S, Technology: LDMOS, Gain: 14.1dB, Power - Output: 45W, Frequency: 2.5GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-1230-4S, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote AFT26H200W03SR6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| AFT26H200W03SR6 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AFT26H200W03SR6 |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
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