AFT26HW050GSR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780GS-4L4L
Technology: LDMOS
Gain: 14.2dB
Power - Output: 9W
Configuration: Dual
Frequency: 2.69GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780GS-4L4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details AFT26HW050GSR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780GS-4L4L, Technology: LDMOS, Gain: 14.2dB, Power - Output: 9W, Configuration: Dual, Frequency: 2.69GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-780GS-4L4L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote AFT26HW050GSR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| AFT26HW050GSR3 | NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors HV9 2.6GHz50W NI780-4S4G |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AFT26HW050GSR3 |
|
Hersteller: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors HV9 2.6GHz50W NI780-4S4G
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