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AFT27S006NT1

AFT27S006NT1 NXP Semiconductors

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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
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Technische Details AFT27S006NT1 NXP Semiconductors

Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz, Betriebsfrequenz, min.: 728MHz, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT27S006N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 NXP PHGL-S-A0003845993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S006N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 227 Stücke:
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50+24.98 EUR
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AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 NXP PHGL-S-A0003845993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S006N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 NXP USA Inc. AFT27S006N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 28.8dBm
Gain: 22dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 70 mA
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AFT27S006NT1 NXP Semiconductors AFT27S006N.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
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AFT27S006NT1
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
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AFT27S006NT1
Hersteller: NXP
Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S006N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AFT27S006NT1
Hersteller: NXP
Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S006N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 28.8dBm
Gain: 22dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 70 mA
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RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
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50+26.49 EUR
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