AFT31150NR5 NXP Semiconductors
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Technische Details AFT31150NR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-2, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz, Power - Output: 150W, Gain: 17.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780-2, Part Status: Active, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote AFT31150NR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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AFT31150NR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin OM-780 EP T/R |
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AFT31150NR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin OM-780 EP T/R |
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| AFT31150NR5 | Hersteller : NXP |
AFT31150NR5 SMD N channel transistors |
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AFT31150NR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-2 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz Power - Output: 150W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-2 Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 100 mA |
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AFT31150NR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-780-2 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz Power - Output: 150W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-2 Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 100 mA |
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AFT31150NR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 150W 2700-3100MHz |
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