AFV121KGSR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S GW
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 960MHz ~ 1.22GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL
Voltage - Rated: 112 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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Technische Details AFV121KGSR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4S GW, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 960MHz ~ 1.22GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 19.6dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL, Voltage - Rated: 112 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| AFV121KGSR5 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| AFV121KGSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 112V 5-Pin NI-1230S T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AFV121KGSR5 |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
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| AFV121KGSR5 |
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF FET N-CH 112V 5-Pin NI-1230S T/R
Trans RF FET N-CH 112V 5-Pin NI-1230S T/R
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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