AIKW50N65DH5XKSA1
Produktcode: 168638
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 1018 nC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs DISCRETES |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
High speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
High speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 |
Produkt ist nicht verfügbar |