Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AIMW120R045M1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolSiC™; SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 36A, Pulsed drain current: 130A, Power dissipation: 114W, Case: TO247, Gate-source voltage: -7...20V, On-state resistance: 75mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote AIMW120R045M1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| AIMW120R045M1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 114W Case: TO247 Gate-source voltage: -7...20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| AIMW120R045M1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AIMW120R045M1XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AIMW120R045M1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


