Weitere Produktangebote AOTF12N60 nach Preis ab 1.55 EUR bis 3.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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AOTF12N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOTF12N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60 TAOTF12n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF12N60 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 2.53 EUR |
| 42+ | 2.06 EUR |
| 47+ | 1.82 EUR |
| 53+ | 1.63 EUR |
| 55+ | 1.55 EUR |
| AOTF12N60 |
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Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60 TAOTF12n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60 TAOTF12n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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|---|---|
| 10+ | 3.59 EUR |
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| 100 Ohm 1% 1W 200V 2512 (RC2512FK-100R-Hitano) (SMD-Widerstand) Produktcode: 51208
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 100 Ohm
Toleranz: ±1%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 100 Ohm
Toleranz: ±1%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
auf Bestellung 931 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 St.:
4000 St. - erwartet| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.037 EUR |
| 100+ | 0.031 EUR |
| 1000+ | 0.027 EUR |
| IRF3205PBF Produktcode: 25094
17
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1283 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |