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APT33GF120BRG

APT33GF120BRG

APT33GF120B2_LRDQ2%28G%29_A.pdf
Produktcode: 47005
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Zolltarifnummer: 8542 31 90 00
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
APT33GF120BRG APT33GF120BRG Microchip Technology APT100GT120JR_B.pdf IGBTs IGBT NPT Low Frequency Single 1200 V 33 A TO-247
auf Bestellung 65 Stücke:
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APT33GF120BRG APT33GF120BRG Microchip Technology APT33GF120B2_LRDQ2%28G%29_A.pdf Description: IGBT NPT 1200V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/210ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 297 W
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT33GF120BRG
Hersteller: Microchip Technology
IGBTs IGBT NPT Low Frequency Single 1200 V 33 A TO-247
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APT33GF120BRG APT33GF120B2_LRDQ2%28G%29_A.pdf
APT33GF120BRG
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/210ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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DSEI60-12A
Hersteller: IXYS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247
Sperrspannung Vrr, V: 1200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 52 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 40 ns
Montage: THT
Warennummer: 8541 10 00 10
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BUP314
Produktcode: 26768
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BUP314
Hersteller: Siemens
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,7 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 52 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 33 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 300 W
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ST13007A (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 26412
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ST13007.pdf
ST13007A (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 700 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 40
Montage: THT
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 288 St.
  • 288 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 В
verfügbar: 65 St.
  • 65 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4225 St.
  • 4225 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.082 EUR
100+0.075 EUR
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