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APT33GF120BRG

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APT33GF120B2_LRDQ2%28G%29_A.pdf
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APT33GF120BRG APT33GF120BRG Hersteller : Microchip Technology APT100GT120JR_B.pdf IGBTs IGBT NPT Low Frequency Single 1200 V 33 A TO-247
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APT33GF120BRG APT33GF120BRG Hersteller : Microchip Technology APT33GF120B2_LRDQ2%28G%29_A.pdf Description: IGBT NPT 1200V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/210ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A
Power - Max: 297 W
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APT33GF120BRG APT33GF120BRG Hersteller : Microchip Technology apt33gf120br28g29d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 52A 297W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT33GF120BRG APT33GF120BRG Hersteller : Microchip Technology apt33gf120br28g29d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 52A 297W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT33GF120BRG Hersteller : Microsemi APT33GF120BR%28G%29_D.pdf IGBT 1200V 52A 297W TO-247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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APT33GF120BRG Hersteller : MICROSEMI APT33GF120B2_LRDQ2%28G%29_A.pdf TO-247 [B]
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT33GF120BRG APT33GF120BRG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY apt33gf120brg.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 33A; 297W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Fast IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 33A
Power dissipation: 297W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 104A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 284ns
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HCPL-7800A-000E
Produktcode: 30600
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Produktcode: 29351
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Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEI60-12A-Datasheet?assetguid=bcca0668-1e7f-4db6-9ef6-0ebe59060c4d
DSEI60-12A
Hersteller: IXYS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247
Vrr, V: 1200
Iav, A: 52
Trr, ns: 40
ZCODE: 8541100010
auf Bestellung 96 St.:
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10+4.52 EUR
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BUP314
Produktcode: 26768
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BUP314
Hersteller: Siemens
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 2,7
Ic 25: 52
Ic 100: 33
Pd 25: 300
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ST13007A (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26412
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ST13007.pdf
ST13007A (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 700
Ic,A: 8
h21: 40
ZCODE: THT
verfügbar: 384 St.
15 St. - stock Köln
369 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.42 EUR
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 7366 St.
65 St. - stock Köln
7301 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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