APT50M50JVR Microchip Technology
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Technische Details APT50M50JVR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 500V; 77A; ISOTOP; screw; Idm: 308A; 700W, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 50mΩ, Drain current: 77A, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 308A, Drain-source voltage: 500V, Power dissipation: 700W, Kind of package: tube, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Kind of channel: enhancement, Case: ISOTOP, Technology: POWER MOS 5®, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw.
Weitere Produktangebote APT50M50JVR nach Preis ab 91.57 EUR bis 117.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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| APT50M50JVR | Hersteller : Microchip Technology |
 MOSFET Modules MOSFET MOS5 500 V 50 mOhm SOT-227 |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT50M50JVR | Hersteller : Microchip Technology / Atmel |
MOSFET FG, MOSFET, 500V, 0.050_OHM, SOT-227 |
auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 406-410 Tag (e) |
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APT50M50JVR Produktcode: 111088
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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APT50M50JVR | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 77A 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT50M50JVR | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 77A 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT50M50JVR | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 77A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1000 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 25 V |
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| APT50M50JVR | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 77A; ISOTOP; screw; Idm: 308A; 700W Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Drain current: 77A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 308A Drain-source voltage: 500V Power dissipation: 700W Kind of package: tube Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Kind of channel: enhancement Case: ISOTOP Technology: POWER MOS 5® Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw |
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