APTGLQ100DA120T1G Microchip Technology
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Technische Details APTGLQ100DA120T1G Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Technology: Field Stop, Case: SP1, Power dissipation: 520W, Collector current: 100A, Pulsed collector current: 340A, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: diode/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTGLQ100DA120T1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APTGLQ100DA120T1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor Topology: boost chopper; NTC thermistor Technology: Field Stop Case: SP1 Power dissipation: 520W Collector current: 100A Pulsed collector current: 340A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTGLQ100DA120T1G | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 1200V 170A 520W SP1 |
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APTGLQ100DA120T1G | Hersteller : Microsemi |
IGBT Modules |
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| APTGLQ100DA120T1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor Topology: boost chopper; NTC thermistor Technology: Field Stop Case: SP1 Power dissipation: 520W Collector current: 100A Pulsed collector current: 340A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
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