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APTM100A13SG MICROSEMI

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Hersteller: MICROSEMI
SP6/65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM100
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Technische Details APTM100A13SG MICROSEMI

Category: Transistor modules, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 49A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 156mΩ, Pulsed drain current: 240A, Power dissipation: 1.25kW, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
APTM100A13SG APTM100A13SG Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7991 Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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APTM100A13SG APTM100A13SG Microchip Technology APTM100A13SG-Rev5.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C
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APTM100A13SG MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7991 Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 49A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 156mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes
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APTM100A13SG index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7991
APTM100A13SG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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APTM100A13SG APTM100A13SG-Rev5.pdf
APTM100A13SG
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 49A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 156mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes
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