APTM100DA18TG Microchip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APTM100DA18TG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 33A; SP4; FASTON connectors,screw, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 33A, Case: SP4, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 0.21Ω, Pulsed drain current: 172A, Power dissipation: 780W, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM100DA18TG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM100DA18TG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; diode/transistor; 1kV; 33A; SP4; FASTON connectors,screw Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 33A Case: SP4 Topology: boost chopper; NTC thermistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 0.21Ω Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 780W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTM100DA18TG | Hersteller : MICROSEMI |
SP4/POWER MODULE - MOSFET APTM100 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTM100DA18TG | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTM100DA18TG | Hersteller : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SP4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTM100DA18TG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 33A; SP4; FASTON connectors,screw Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 33A Case: SP4 Topology: boost chopper; NTC thermistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 0.21Ω Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 780W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |