APTM10DHM05G Microchip Technology
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Technische Details APTM10DHM05G Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP6C; Idm: 1100A; 780W; screw, Drain current: 207A, On-state resistance: 5mΩ, Power dissipation: 780W, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: asymmetrical bridge, Pulsed drain current: 1100A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Case: SP6C, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 100V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM10DHM05G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| APTM10DHM05G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP6C; Idm: 1100A; 780W; screw Drain current: 207A On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 780W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: asymmetrical bridge Pulsed drain current: 1100A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: SP6C Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTM10DHM05G | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6 |
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| APTM10DHM05G | Hersteller : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC6186 |
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| APTM10DHM05G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SP6C |
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| APTM10DHM05G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP6C; Idm: 1100A; 780W; screw Drain current: 207A On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 780W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: asymmetrical bridge Pulsed drain current: 1100A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: SP6C Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 100V |
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