APTM60A11FT1G Microchip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APTM60A11FT1G Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 600V; 30A; SP1; Ugs: ±30V; Idm: 245A, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: Press-in PCB, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: SP1, On-state resistance: 110mΩ, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 245A, Power dissipation: 390W, Technology: FREDFET; POWER MOS 8®, Drain current: 30A, Drain-source voltage: 600V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM60A11FT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM60A11FT1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; transistor/transistor; 600V; 30A; SP1; Ugs: ±30V; Idm: 245A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP1 On-state resistance: 110mΩ Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 390W Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Drain current: 30A Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTM60A11FT1G | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTM60A11FT1G | Hersteller : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC8117 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTM60A11FT1G | Hersteller : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC8117 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APTM60A11FT1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 30A; SP1; Ugs: ±30V; Idm: 245A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP1 On-state resistance: 110mΩ Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 390W Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Drain current: 30A Drain-source voltage: 600V |
Produkt ist nicht verfügbar |