APTMC120AM55CT1AG
Produktcode: 191183
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APTMC120AM55CT1AG | MICROSEMI |
APTMC120AM55CT1AG Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTMC120AM55CT1AG | Microsemi |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Силові MOSFET-модулі |
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 |
APTMC120AM55CT1AG | Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 250W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ) Supplier Device Package: SP1 |
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| APTMC120AM55CT1AG | Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules CC9701 |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APTMC120AM55CT1AG |
|
Hersteller: Microsemi
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Силові MOSFET-модулі
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Силові MOSFET-модулі
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| APTMC120AM55CT1AG |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ)
Supplier Device Package: SP1
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ)
Supplier Device Package: SP1
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| APTMC120AM55CT1AG |
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Hersteller: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules CC9701
Discrete Semiconductor Modules CC9701
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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