Produkte > AVAGO > AT-41511-TR2G

AT-41511-TR2G AVAGO


AT-41511%2C33.pdf
Hersteller: AVAGO
08+
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details AT-41511-TR2G AVAGO

Description: RF TRANS NPN 12V SOT143, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-143, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 225mW, Gain: 11dB ~ 15.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote AT-41511-TR2G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
AT-41511-TR2G AT-41511-TR2G Broadcom Limited AT-41511%2C33.pdf Description: RF TRANS NPN 12V SOT143
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-143
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 225mW
Gain: 11dB ~ 15.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT-41511-TR2G AT-41511-TR2G Broadcom / Avago AT-41511%2C33.pdf RF Bipolar Transistors Transistor Si
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT-41511-TR2G onsemi / Fairchild AT-41511%2C33.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT-41511-TR2G AT-41511%2C33.pdf
Hersteller: Broadcom Limited
Description: RF TRANS NPN 12V SOT143
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-143
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 225mW
Gain: 11dB ~ 15.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT-41511-TR2G AT-41511%2C33.pdf
Hersteller: Broadcom / Avago
RF Bipolar Transistors Transistor Si
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AT-41511-TR2G AT-41511%2C33.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH