AT64020
Produktcode: 58447
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| AT-64020 | Agilent |
 04+05 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| AT64020 | AT | 00+ (+) |
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| AT-64020 | Broadcom Limited (Avago) |
RF Transistor NPN 20V 200mA 3W Surface Mount Транзистори |
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 |
AT-64020 | Broadcom Limited |
Description: RF TRANS NPN 20V 200SMD Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD (200 mil BeO) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Power - Max: 3W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V |
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 |
AT-64020 | Broadcom / Avago |
RF Bipolar Transistors Transistor Si |
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| AT-64020 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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| AT-64020 |
|
Hersteller: Agilent
04+05
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| AT-64020 |
|
Hersteller: Broadcom Limited (Avago)
RF Transistor NPN 20V 200mA 3W Surface Mount Транзистори
RF Transistor NPN 20V 200mA 3W Surface Mount Транзистори
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| AT-64020 |
|
Hersteller: Broadcom Limited
Description: RF TRANS NPN 20V 200SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD (200 mil BeO)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Power - Max: 3W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V
Description: RF TRANS NPN 20V 200SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD (200 mil BeO)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Power - Max: 3W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V
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| AT-64020 |
|
Hersteller: Broadcom / Avago
RF Bipolar Transistors Transistor Si
RF Bipolar Transistors Transistor Si
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Stück im Wert von UAH
| AT-64020 |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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