Weitere Produktangebote AUIRF7103QTR nach Preis ab 0.88 EUR bis 1.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 17155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7103QTR | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET 2N-CH 50V 3.0A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2.4W Gate-source voltage: ±20V Technology: HEXFET® Gate charge: 10nC On-state resistance: 0.2Ω |
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| IRF7465TRPBF Produktcode: 126960
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| PMV65XP,215 Transistor Produktcode: 58607
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7
/: SMD
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7
/: SMD
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