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IRF7465TRPBF

IRF7465TRPBF Infineon Technologies

irf7465.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRF7465TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7465_DataSheet_v01_01_EN-3363002.pdf MOSFETs MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC
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IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Hersteller : INFINEON 107894.pdf Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Hersteller : INFINEON 107894.pdf Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A48740D119F1A303005056AB0C4F&compId=irf7465pbf.pdf?ci_sign=cc3ec770d5137fb965e0fe69e49e73454b16f1b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A48740D119F1A303005056AB0C4F&compId=irf7465pbf.pdf?ci_sign=cc3ec770d5137fb965e0fe69e49e73454b16f1b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
Produkt ist nicht verfügbar
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