Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF7465TRPBF

IRF7465TRPBF

irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08
Produktcode: 126960
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF7465TRPBF nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Infineon Technologies irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7465_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.17 EUR
100+0.77 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Infineon Technologies irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 8303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.92 EUR
15+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Infineon Technologies irf7465.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Infineon Technologies irf7465.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF INFINEON 107894.pdf Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1009 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF INFINEON 107894.pdf Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1009 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08
IRF7465TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF Infineon_IRF7465_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7465TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.88 EUR
10+1.17 EUR
100+0.77 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08
IRF7465TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 8303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
10+1.92 EUR
15+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF irf7465.pdf
IRF7465TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF irf7465.pdf
IRF7465TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF 107894.pdf
IRF7465TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1009 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7465TRPBF 107894.pdf
IRF7465TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1009 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

AUIRF7103QTR
Produktcode: 208998
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV65XP,215 Transistor
Produktcode: 58607
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
pmv65xp-datasheet.pdf
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH