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AUIRG4PH50S

AUIRG4PH50S Infineon Technologies

auirg4ph50s.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details AUIRG4PH50S Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 141A TO-247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A, Supplier Device Package: TO-247AC, Td (on/off) @ 25°C: -/616ns, Switching Energy: 16mJ (off), Test Condition: 600V, 33A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 227 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 141 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 99 A, Power - Max: 543 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S Hersteller : Infineon Technologies auirg4ph50s-1730913.pdf IGBTs 1200V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE AUTO IGBT
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AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S Hersteller : Infineon Technologies 16auirg4ph50s.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S Hersteller : INFINEON IRSD-S-A0000576637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRG4PH50S - IGBT, 57 A, 1.75 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AUIRG4PH50S
Produktcode: 135709
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AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB96F76D7618FA40C7&compId=auirg4ph50s.pdf?ci_sign=06bd4ffeec9e52c7556a5dcb27d76d7567cc3019 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 227nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S Hersteller : Infineon Technologies auirg4ph50s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ba31da1519 Description: IGBT 1200V 141A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: -/616ns
Switching Energy: 16mJ (off)
Test Condition: 600V, 33A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 141 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 99 A
Power - Max: 543 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB96F76D7618FA40C7&compId=auirg4ph50s.pdf?ci_sign=06bd4ffeec9e52c7556a5dcb27d76d7567cc3019 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 227nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
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