BAW56M,315 Nexperia
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BAW56M,315 Nexperia
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: switching; SMD; 90V; 150mA; 4ns; SOT883; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A, Type of diode: switching, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 90V, Load current: 0.15A, Reverse recovery time: 4ns, Semiconductor structure: common anode; double, Case: SOT883, Max. forward voltage: 1.25V, Max. forward impulse current: 4A, Leakage current: 0.15mA, Power dissipation: 0.25W, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: fast switching.
Weitere Produktangebote BAW56M,315 nach Preis ab 0.066 EUR bis 0.077 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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BAW56M,315 | Hersteller : Nexperia |
 Diode Switching 90V 0.15A 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAW56M,315 | Hersteller : Nexperia |
Diode Switching 90V 0.15A 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BAW56M,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAW56M,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAW56M,315 | Hersteller : Nexperia |
Diode Switching 90V 0.15A 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BAW56M,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE ARRAY GP 90V 150MA SOT883 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BAW56M,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE ARRAY GP 90V 150MA SOT883 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BAW56M,315 | Hersteller : Nexperia |
Diodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BAW56M,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 90V; 150mA; 4ns; SOT883; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 90V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: common anode; double Case: SOT883 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 0.15mA Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching |
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