BC369,112 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANS PNP 20V 1A TO-92-3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
Power - Max: 830 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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Technische Details BC369,112 NXP USA Inc.
Description: TRANS PNP 20V 1A TO-92-3, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 140MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Bulk, Power - Max: 830 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A.
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Verfügbarkeit |
Preis |
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| BC369,112 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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