BC638TA ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 2223+ | 0.07 EUR |
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Technische Details BC638TA ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC638TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC638, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BC638TA nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BC638TA | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC638TA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC638TA | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
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BC638TA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 24574 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC638TA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC638TA | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 50MHz Current gain: 100...250 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1959 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC638TA | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 50MHz Current gain: 100...250 |
auf Bestellung 1959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC638TA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 40747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC638TA | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP |
auf Bestellung 5548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC638TA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC638TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC638 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC638TA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TA | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC638TA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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| BC638TA | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.8W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 50MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |