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BC818-40

BC818-40 Diotec Semiconductor

bc817.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC818-40 Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - BC818-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC818-40 BC818-40 Hersteller : Diotec Semiconductor bc817.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 25V, 800mA, NPN
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BC81840 BC81840 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS19198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 310 mW
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BC818-40 BC818-40 Hersteller : Diotec Semiconductor bc817.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 310 mW
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500+0.06 EUR
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BC818-40 BC818-40 Hersteller : DIOTEC bc817.pdf Description: DIOTEC - BC818-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC818-40 BC818-40 Hersteller : Diotec Semiconductor bc817.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC818-40 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc817.pdf BC818-40-DIO NPN SMD transistors
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Anzahl Preis
1640+0.044 EUR
3000+0.024 EUR
12000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1640
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BC818-40 Hersteller : DIOTEC bc817.pdf NPN 25V 500mA 250mW 100MHz BC818-40 BC818-40 SOT23 CDIL TBC81840
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10+2.72 EUR
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BC81840 BC81840 Hersteller : onsemi / Fairchild BC818-1300066.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
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