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BC847CQAZ

BC847CQAZ Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC847CQAZ Nexperia

Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3, Qualification: AEC-Q101, Power - Max: 280 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC847CQAZ BC847CQAZ Nexperia 67751762946236bc847xqa_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_.pdfcidbr.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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BC847CQAZ BC847CQAZ NXP USA Inc. BC847XQA_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
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BC847CQAZ NXP Semiconductors BC847XQA_SER.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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BC847CQAZ NXP Semiconductors BC847XQA_SER.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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BC847CQAZ NXP BC847XQA_SER.pdf Description: NXP - BC847CQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BC847CQAZ
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 280 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
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Description: NXP - BC847CQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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