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BC859B

BC859B NXP

BC859,BC860.pdf
Produktcode: 31150
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.2
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar 994 Stück:
250 Stück - stock Köln
744 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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BC859B BC859B Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD090D3297244A9E0DF&compId=bc856.pdf?ci_sign=15e83cb60591379a414fdd005167f21a1e4674ab Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 290
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6660 Stücke:
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Anzahl Preis
1873+0.038 EUR
2440+0.029 EUR
2778+0.026 EUR
3497+0.02 EUR
5748+0.012 EUR
9000+0.011 EUR
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Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 290
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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1873+0.038 EUR
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BC859B BC859B Hersteller : Fairchild Semiconductor PHGLS19379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
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3806+0.14 EUR
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BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor PHGLS19379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc856.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
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10+0.47 EUR
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BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859B Hersteller : FAIRCHILD PHGLS19379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc856.pdf BC859B
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3912+0.14 EUR
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BC859B Hersteller : FAIRCHILD PHGLS19379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc856.pdf BC859B
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BC859B Hersteller : ONSEMI PHGLS19379-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC859B - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859B BC859B Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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470uF 25V EXR 10x16mm (EXR471M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 464 Stück
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description L4941.pdf
L4941BV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 1
Udrop, V: 0.45
Bemerkung: Фіксований
auf Bestellung 20 Stück:
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1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 704 Stück
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BC818-25.pdf
BC818-25 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 25
Ic,A: 0,5
h21: 400
ZCODE: SMD
verfügbar: 923 Stück
110 Stück - stock Köln
813 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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BC557B
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BC557B
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
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