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BCR133E6327

Produktcode: 52142
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR 133 E6327 Infineon Technologies BCR133_Infineon.pdf Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BCR 133 E6327 BCR 133 E6327 Infineon Technologies Infineon_BCR133SERIES_DS_v01_01_en.pdf Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BCR133E6327 BCR133E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR133.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
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BCR 133 E6327 BCR133_Infineon.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор
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BCR 133 E6327 Infineon_BCR133SERIES_DS_v01_01_en.pdf
BCR 133 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
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BCR133E6327 BCR133.pdf
BCR133E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
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