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BCR 133 E6327

BCR 133 E6327 Infineon Technologies

Infineon_BCR133SERIES_DS_v01_01_en-1225900.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
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Technische Details BCR 133 E6327 Infineon Technologies

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Frequency: 130MHz, Kind of transistor: BRT, Base resistor: 10kΩ, Base-emitter resistor: 10kΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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BCR133E6327 BCR133E6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A08E45B8E469&compId=BCR133.pdf?ci_sign=f326d205106dded54591a302ba389bcff56e3c4a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
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BCR133E6327 BCR133E6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A08E45B8E469&compId=BCR133.pdf?ci_sign=f326d205106dded54591a302ba389bcff56e3c4a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Kind of transistor: BRT
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