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BCR 166 E6327 Infineon

Hersteller: Infineon
PNP 50V 100mA 160MHz 200mW BCR166E6327HTSA1 BCR166E6327 Infineon TBCR166
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Technische Details BCR 166 E6327 Infineon

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 160 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

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BCR 166 E6327 Hersteller : Infineon Technologies bcr166series.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR166E6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SIEMD095-687.pdf?t.download=true&u=5oefqw BCR166E6327 PNP SMD transistors
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BCR166E6327 BCR166E6327 Hersteller : Infineon Technologies bcr166series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BCR166E6327 BCR166E6327 Hersteller : Infineon Technologies SIEMD095-687.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
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