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BCR166

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Produktcode: 55889
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCR 166 E6327 BCR 166 E6327 Hersteller : Infineon info-tbcr166.pdf PNP 50V 100mA 160MHz 200mW BCR166E6327HTSA1 BCR166E6327 Infineon TBCR166
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BCR166E6327 BCR166E6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BCR166.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 160MHz
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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BCR 166 E6327 Hersteller : Infineon Technologies bcr166series.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.51 EUR
10+0.39 EUR
100+0.22 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BCR166 Hersteller : INFINEON INFNS17140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BCR166-E6327 Hersteller : Infineon
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BCR166 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS17140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR166 - BCR166 - DIGITAL TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BCR166 BCR166 Hersteller : Infineon Technologies INFNS17140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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BCR166 BCR166 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BCR166SERIES_DS_v01_01_en.pdf Digital Transistors
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BCR166E6327 BCR166E6327 Hersteller : Infineon Technologies SIEMD095-687.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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