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BCW68G

BCW68G JSMSEMI

FAIRS46894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BCW68G.pdf
Hersteller: JSMSEMI
Transistor PNP; 400; 330mW; 45V; 800mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BCW68GLT1G; BCW68GLT3G; BCW68GE6327HTSA1; BCW68G-TP; BCW68G JSMICRO TBCW68g JSM
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Technische Details BCW68G JSMSEMI

Description: MULTICOMP PRO - BCW68G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCW68G BCW68G ON Semiconductor bcw68g-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW68G BCW68G Fairchild Semiconductor FAIRS46894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
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BCW68G BCW68G MULTICOMP PRO 2861632.pdf Description: MULTICOMP PRO - BCW68G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 290 Stücke:
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BCW68G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17660 Stücke:
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Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
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BCW68G
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BCW68G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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