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BCY59IX MOT

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Technische Details BCY59IX MOT

Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-18, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 390 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCY59-IX STM BCY59.pdf NPN, Uкэ=45V, Iк=0.2A, h21=120...520, 0.39Вт, 200МГц, TO-18 (круглый) Транзистори
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BCY59IX BCY59IX STMicroelectronics BCY59.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 390 mW
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BCY59-IX Central Semiconductor Corp get_document.php?cmp=1&mergetype=pd&mergepath=pd&pdf_id=BCY58-59.PDF Description: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
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BCY59-IX BCY59.pdf
Hersteller: STM
NPN, Uкэ=45V, Iк=0.2A, h21=120...520, 0.39Вт, 200МГц, TO-18 (круглый) Транзистори
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BCY59IX BCY59.pdf
BCY59IX
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 390 mW
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BCY59-IX get_document.php?cmp=1&mergetype=pd&mergepath=pd&pdf_id=BCY58-59.PDF
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
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