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BD13616S

BD13616S Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0000508070-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
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Technische Details BD13616S Fairchild Semiconductor

Description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 1.25 W.

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BD13616S BD13616S Hersteller : onsemi / Fairchild BD136_D-2310305.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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BD13616S BD13616S Hersteller : onsemi BD136_138_140.pdf Description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
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BD13616S Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor BD136_138_140.pdf FAIR-S-A0000508070-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистор PNP; Uceo, В = 45; Ic = 1,5 мА; hFE = 100 @ 150 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
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BD13616S Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0000508070-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BD13616S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BD13616S BD13616S Hersteller : ON Semiconductor bd136-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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