BD140-16 (NXP) - Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP

BD140-16

BD140-16

Produktcode: 39648
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
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Technische Details BD140-16

  • TRANSISTOR, PNP, SOT-32
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Power Dissipation Pd:1.25W
  • DC Collector Current:1.5A
  • DC Current Gain hFE:40
  • Transistor Case Style:SOT-32
  • No. of Pins:3
  • SVHC:No SVHC
  • Case Style:SOT-32
  • Current Ic hFE:0.15A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:1.5A
  • Max Current Ic Continuous a:1.5A
  • Max Power Dissipation Ptot:1.25W
  • Max Voltage Vce Sat:0.5V
  • Min Hfe:100
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:1.25W
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:Bipolar
  • Voltage Vcbo:80V

Analogon

BD14016STU
BD14016STU
Produktcode: 89440
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP

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Preis BD140-16 ab 0.14 EUR bis 1.14 EUR

BD140-16
Hersteller:
BD140-16 PNP 80V 1.5A 12.5W TO126
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BD140-16
Hersteller: CDIL
PNP 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Trans. BD140-16 TO126 TBD14016cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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107+ 0.26 EUR
BD140-16
Hersteller: STMicroelectronics
PNP; Uceo, = 80; Ic = 1,5 ; Icutoff-max = 100 ; Uceo(sat), @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 , 500 ; , = 1,25 ; , °C = -65...+150; . = ; SOT-32(TO-126)
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BD140-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140-16
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST Trans. BD140-16 TO126 TBD14016
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Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST Trans. BD140-16 TO126 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD140-16
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST Trans. BD140-16 TO126 TBD14016
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BD140-16
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD140-16ST PNP THT transistors
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BD140-16
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr
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BD140-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140-16
BD140-16
Hersteller:
TO-126
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BD140-16
BD140-16
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD140-16 - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 1.25
DC Current Gain hFE: 40
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 1.5
Transistor Case Style: SOT-32
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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BD140-16
BD140-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140-16
Hersteller: CDIL
Material: BD140-16-CDI PNP THT transistors
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BD140-16
Hersteller: CDIL
PNP, U=80V, I=1.5A, h21=25...250, 10, SOT-32-3 (. BD140) TBD140-16
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BD140-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140-16
BD140-16
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-32
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2V, 150MA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
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Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
55 Stück - stock Köln
3485 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+ 0.088 EUR
100+ 0.08 EUR
BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 32641		 BD139-datasheet.pdf
BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 01.05.2015
h21: 100
74 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.42 EUR
10+ 0.29 EUR
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403		 irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d IRSDS11283-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
30 Stück - stock Köln
1388 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 32010 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.32 EUR
10+ 0.28 EUR
100+ 0.27 EUR
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574		 техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3155 Stück - stock Köln
23791 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR