BD239BTU ON Semiconductor
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Technische Details BD239BTU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 2A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 30 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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BD239BTU | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
 Description: TRANS NPN 80V 2A TO220-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
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BD239BTU | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
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| BD239BTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD239BTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD239BTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |