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BD244C

BD244C ON

bd243b-c.pdf
Produktcode: 27506
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 6
h21,max: 30
auf Bestellung 167 St.:
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Bipolartransistor BD244C
Produktcode: 152580
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BD244C BD244C Hersteller : ARK TBD244c_c_0002.pdf Transistor PNP; 30; 65W; 100V; 6A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD244CG; TIP42C; BD244C c TBD244c c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD244C BD244C Hersteller : JSMicro Semiconductor TBD244c_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor PNP; 30; 65W; 100V; 6A; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD244CG; BD244CTU; BD244C-S; BD244C JSMICRO TBD244c JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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BD244C BD244C Hersteller : Fairchild TBD244c_0001.pdf Transistor PNP; 30; 65W; 100V; 6A; -65°C ~ 150°C; Substitute: TIP42C, BD242C, BD244CG BD244C TBD244c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Mindestbestellmenge: 50
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BD244C Hersteller : ONS/FAI BD244.pdf PNP, Uкэ=100V, Iк=6A (10 имп.), h21=15...30, 65Вт, TO-220 (комплементарный BD243C) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD244C Hersteller : STM BD243b-243c-244b-244c.pdf PNP, Uкэ=100V, Iк=6A (10 имп.), h21=15...30, 65Вт, TO-220 (комплементарный BD243C) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD244C Hersteller : STM BD243b-243c-244b-244c.pdf PNP, Uкэ=100V, Iк=6A (10 имп.), h21=15...30, 65Вт, TO-220 (комплементарный BD243C) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD244C BD244C Hersteller : onsemi BD244A-C.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A TO-220-3
Power - Max: 65 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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BD244C BD244C Hersteller : STMicroelectronics BD243B_C%2C%20BD244B_C.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 65 W
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BD244C BD244C Hersteller : Bourns bourns_bd244.pdf Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon
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BD244C BD244C Hersteller : onsemi BD244A-C.pdf BD243B_C%2C%20BD244B_C.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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BD244C BD244C Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001155.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
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BD244C BD244C Hersteller : ONSEMI BD244C-STMicroelectronics.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Case: TO220
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power: 65W
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BD244C BD244C Hersteller : ONSEMI BD244x.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 6 А
h21: 30
ZCODE: THT
auf Bestellung 207 St.:
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Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 6
h21: 75
ZCODE: THT
auf Bestellung 236 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
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Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 1312 St.
50 St. - stock Köln
1262 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.11 EUR
10+0.1 EUR
100+0.09 EUR
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BC640
Produktcode: 3455
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BC636,638,640.pdf
BC640
Hersteller: MCC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 80
U, V: 80
I, А: 1.0
h21,max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 751 St.:
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10+0.044 EUR
100+0.04 EUR
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GBJ2510 диодный мост
Produktcode: 177798
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GBJ2510 диодный мост
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBJ
Urew: 1000 V
I dir: 25 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 350 A
auf Bestellung 277 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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