BD434STU ON Semiconductor
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Technische Details BD434STU ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 22V 4A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 22 V, Power - Max: 36 W.
Weitere Produktangebote BD434STU nach Preis ab 0.75 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BD434STU | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 22V 4A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 22 V Power - Max: 36 W |
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| BD434STU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD434STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BD434STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail |
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