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BD442STU

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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BD442STU BD442STU ON Semiconductor bd442d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin TO-126 Tube
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BD442STU BD442STU Fairchild Semiconductor FAIRS18615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
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BD442STU BD442STU ON Semiconductor / Fairchild BD442-1118696.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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BD442STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin TO-126 Tube
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BD442STU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
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