BD682G

BD682G ON


BD682G.pdf
Produktcode: 208319
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-225AA
U, V: 100 V
U, V: 100 V
I, А: 4 A
h21,max: 750
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BD682
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BD682
Produktcode: 180503
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Hersteller : ARK en.CD00000939.pdf bd676-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-32
U, V: 100 V
U, V: 100 V
I, А: 4 A
h21,max: 750
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BD682G BD682G Hersteller : ON Semiconductor bd676-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 14000 Stücke:
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672+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 672
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BD682G BD682G Hersteller : ON Semiconductor bd676-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 589 Stücke:
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110+1.34 EUR
162+0.87 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 110
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BD682G BD682G Hersteller : ON Semiconductor bd676-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1677 Stücke:
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72+2.03 EUR
114+1.24 EUR
200+1.01 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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BD682G BD682G Hersteller : ON Semiconductor bd676-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 589 Stücke:
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Anzahl Preis
69+2.12 EUR
110+1.29 EUR
162+0.84 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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BD682G BD682G Hersteller : onsemi bd676-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1002 Stücke:
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Anzahl Preis
8+2.38 EUR
12+1.51 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BD682G BD682G Hersteller : onsemi bd676-d.pdf Darlington Transistors 4A 100V 40W PNP
auf Bestellung 1479 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.53 EUR
10+1.58 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.70 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BD682G BD682G Hersteller : ONSEMI 1912207.pdf Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 982 Stücke:
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BD682G BD682G Hersteller : ON Semiconductor bd676-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD682G BD682G Hersteller : ON Semiconductor bd676-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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