BDX33C (Transistor) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BDX33C (Transistor)

Produktcode: 88924
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details BDX33C (Transistor)

Preis BDX33C (Transistor) ab 0.33 EUR bis 2.47 EUR


Produktcode: 154321
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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BDX33C
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BDX33C NPN THT Darlington transistors
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BDX33C
Hersteller: ST

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BDX33C
Hersteller:
BDX33C NPN - DARLINGTON /100V / 10A / 70W TO-220
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BDX33C
Hersteller: Harris Corporation
Description: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Supplier Device Package: TO-220AB
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 70W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Current - Collector (Ic) (Max): 10A
Transistor Type: NPN - Darlington
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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BDX33C
Hersteller: STMicroelectronics
; . = NPN; Uceo, = 100; Ic = 10 ; hFE = 750 @ 3 A, 3 ; Icutoff-max = 500 ; Uceo(sat), @ Ic, Ib = 2,5 @ 6 , 3 ; , = 70 ; , °C = -65...+150; . = ; TO-220-3
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BDX33C
BDX33C
Hersteller: STMicroelectronics
Darlington Transistors Silicon Pwr Trnsistr
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BDX33C
BDX33C
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-220
Manufacturer: STMicroelectronics
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220
Base Part Number: BDX33
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 70W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Current - Collector (Ic) (Max): 10A
Transistor Type: NPN - Darlington
Part Status: Active
Packaging: Tube
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BDX33C
BDX33C
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BDX33C - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 10 A, 70 W, TO-220, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 70
DC Current Gain hFE: 750
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 10
Transistor Case Style: TO-220
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
2307019.pdf
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BDX33C
BDX33C
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BDX33C - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 10 A, 70 W, TO-220, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 70
DC Current Gain hFE: 750
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 10
Transistor Case Style: TO-220
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
2864199.pdf
2868 Stücke
BDX33C
BDX33C
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 10A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
cd0000090.pdf
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BDX33C
Hersteller:
BDX33C NPN - DARLINGTON /100V / 10A / 70W TO-220
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BDX33C
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 10A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BDX33C
Hersteller: Bourns
Darlington Transistors 70W 10A NPN
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BDX33C
BDX33C
Hersteller: onsemi / Fairchild
Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil
BDX33C_D-2310249.pdf
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BDX33C
BDX33C
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil
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BDX33C
BDX33C
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 70W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Current - Collector (Ic) (Max): 10A
Transistor Type: NPN - Darlington
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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IRF9540NPBF
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irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
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IRFZ46NPBF
Produktcode: 48533
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IRFZ46NPBF
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Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
6 Stück - stock Köln
40 Stück - erwartet
auf Bestellung 13136 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.8 EUR
10+ 0.72 EUR
IRL530NPBF
Produktcode: 79755
техническая информация irl530n_datasheet.pdf
IRL530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.10.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
auf Bestellung 1152 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
STP60NF06
Produktcode: 2993
техническая информация STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: ST
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
ZCODE: 8541290010
140 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 5152 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.7 EUR
10+ 0.67 EUR
Möglichen Substitutionen
STP60NF06L
Produktcode: 105102