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BDX54C (Bipolartransistor NPN)

BDX54C (Bipolartransistor NPN)

tbdx53c-datasheet.pdf
Produktcode: 25170
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 8
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BDX54C BDX54C Hersteller : STMicroelectronics bdx53b.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BDX54C BDX54C Hersteller : STMicroelectronics bdx53b.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000
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BDX54C BDX54C Hersteller : STMicroelectronics bdx53b.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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298+0.48 EUR
322+0.43 EUR
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1000+0.29 EUR
2000+0.28 EUR
5000+0.23 EUR
10000+0.21 EUR
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BDX54C BDX54C Hersteller : STMicroelectronics bdx53b.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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206+0.7 EUR
300+0.46 EUR
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500+0.33 EUR
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2000+0.26 EUR
5000+0.22 EUR
10000+0.21 EUR
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BDX54C BDX54C Hersteller : STMicroelectronics bdx53-54b_c.pdf Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Current gain: 750
Mounting: THT
Kind of package: tube
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74+0.97 EUR
161+0.44 EUR
197+0.36 EUR
214+0.33 EUR
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BDX54C BDX54C Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000902.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 60 W
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12+1.48 EUR
50+0.68 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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BDX54C BDX54C Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000902.pdf bdx53b-d.pdf Darlington Transistors PNP Power Darlington
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2+1.51 EUR
10+0.7 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BDX54C Hersteller : JSMSEMI en.CD00000902.pdf bdx53b-d.pdf Transistor Darlington PNP; 1000; 65W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BDX54CG; BDX54CTU; BDX54C-S; BDX54C JSMICRO TBDX54c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BDX54C Hersteller : ST en.CD00000902.pdf bdx53b-d.pdf Transistor PNP; 750; 60W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C; BDX54C TBDX54c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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50+0.74 EUR
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BDX54C Hersteller : ST en.CD00000902.pdf bdx53b-d.pdf Transistor PNP; 750; 60W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C; BDX54C TBDX54c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BDX54C Hersteller : ST en.CD00000902.pdf bdx53b-d.pdf Transistor PNP; 750; 60W; 100V; 8A; -65°C ~ 150°C; BDX54C TBDX54c
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BDX54C Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00000902.pdf bdx53b-d.pdf PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=8A (12 имп.), h21=750, 60Вт, TO-220AB (компл. BDX53C)
auf Bestellung 50 Stücke:
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BDX54C BDX54C Hersteller : onsemi bdx53b-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 65 W
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BDX53C
Produktcode: 123175
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tbdx53c-datasheet.pdf
BDX53C
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 А
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: THT
auf Bestellung 34 St.:
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BZV85-C15
Produktcode: 23982
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BZV85.pdf
BZV85-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 0,066
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.9 до 13.6mV/K
auf Bestellung 442 St.:
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10+0.04 EUR
100+0.036 EUR
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UF5408
Produktcode: 27170
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uf5408.pdf
UF5408
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 1000
Iav, A: 3
Trr, ns: 75
verfügbar: 1390 St.
200 St. - stock Köln
1190 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.12 EUR
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2N3904G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 29367
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2N3904.pdf
2N3904G (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
h21: 300
ZCODE: THT
auf Bestellung 59 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 St.:
3000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.06 EUR
100+0.031 EUR
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FGH40N60SMD
Produktcode: 63296
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fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 59 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.8 EUR
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